UNIVEX 镀膜工艺
UNIVEX 薄膜沉积过程
UNIVEX 是用于生成功能性物理气相沉积膜层的多用途镀膜系统。
薄膜的特性取决于用于生成薄膜的工艺技术。不同的工艺参数会影响薄膜的行为。在我们的 UNIVEX 系统中，可以应用各种镀膜方法以及一系列基材处理方法。我们的 Leybold 莱宝镀膜系统基于模块化设计，可以满足客户的特定要求。
UNIVEX 镀膜的工艺变更
- 热蒸发
- 电子束蒸发
- 有机物蒸发
- 溅射
- 直流溅射
- 射频溅射
- 反应溅射
- 脉冲直流溅射
- 离子源
- 离子辅助沉积
- 工艺气体进口
- 薄膜厚度测量
热蒸发
热蒸发
热蒸发或热阻蒸发是成熟的薄膜沉积方法。此技术用于高真空室中，例如我们的 UNIVEX 系统。单个热蒸发器由两个通过船形或热丝源连接的水冷式电流馈通装置组成。材料将被放入源中，由于施加了电能，温度会升高，直至材料被蒸发。
我们的标准热蒸发套件采用单、双或双独立配置，适合单次沉积或共沉积。
可使用热蒸发技术沉积多种材料，如金、银、铝、铜，等等。
电子束蒸发
电子束蒸发
电子束蒸发是另一种成熟的蒸发技术，用于高真空环境中。待蒸发的材料位于铜坩埚内。
通电的电子束由钨丝生成，并被磁场偏转到坩埚的凹槽中。此电子束的能量被施加到材料上，然后材料被蒸发或升华。
电子束枪可以有多种配置。提供具有不同容量的单槽或多槽坩埚。
各种电源允许蒸发高熔点材料（例如 Mo），或者甚至实现具有高沉积速率的工艺。
离子辅助沉积
离子辅助沉积
在沉积过程中，材料以通量、电离电势和特定温度到达基材表面。这些因素对沉积薄膜的密度、纯度和结晶度具有巨大影响。
使用离子源，额外的能量可以通过高能离子施加到气相材料和薄膜上。
这会影响薄膜的特性，如粘附性、成分、内部薄膜应力和结晶度。
热蒸发
热蒸发或热阻蒸发是成熟的薄膜沉积方法。此技术用于高真空室中，例如我们的 UNIVEX 系统。单个热蒸发器由两个通过船形或热丝源连接的水冷式电流馈通装置组成。材料将被放入源中，由于施加了电能，温度会升高，直至材料被蒸发。
我们的标准热蒸发套件采用单、双或双独立配置，适合单次沉积或共沉积。
可使用热蒸发技术沉积多种材料，如金、银、铝、铜，等等。
电子束蒸发
电子束蒸发是另一种成熟的蒸发技术，用于高真空环境中。待蒸发的材料位于铜坩埚内。
通电的电子束由钨丝生成，并被磁场偏转到坩埚的凹槽中。此电子束的能量被施加到材料上，然后材料被蒸发或升华。
电子束枪可以有多种配置。提供具有不同容量的单槽或多槽坩埚。
各种电源允许蒸发高熔点材料（例如 Mo），或者甚至实现具有高沉积速率的工艺。
离子辅助沉积
在沉积过程中，材料以通量、电离电势和特定温度到达基材表面。这些因素对沉积薄膜的密度、纯度和结晶度具有巨大影响。
使用离子源，额外的能量可以通过高能离子施加到气相材料和薄膜上。
这会影响薄膜的特性，如粘附性、成分、内部薄膜应力和结晶度。
其他 UNIVEX 镀膜工艺
- 基材处理
- 基材旋转
- 基材加热
- 基材冷却
- 基材偏置
- 行星齿轮驱动
- 高度可调性
- 基材倾斜
- 掠射角沉积
- 渐变快门
- 冷阱
- 真空进样室
基材处理
基材处理
为了在沉积过程中改善或更改薄膜属性，可以应用各种基材处理和操作方法。
基材旋转
基材旋转
旋转用于改善整个基材表面的薄膜均匀性。我们为单个或多个基材（包括行星齿轮驱动）提供各种可能的解决方案。
与其他基材操作功能的典型组合包括：
- 加热、冷却
- 射频/直流偏置
- 高度可调性（从源到基材）
- 倾斜
- 掠射角沉积 (GLAD)
- 渐变快门
基材冷却
基材冷却
热敏基材或掩模在沉积过程中需要冷却。我们提供可用水冷却、LN2 冷却或与特殊冷却液体一起使用的基材座。
基材偏置
基材偏置
射频或直流偏置支持的沉积可改善薄膜的粘合特性和化学计量。为此，我们提供了合适的基材座和电源。
高度可调性
高度可调性（从源到基材）
对于不同的应用，源到基材的距离是一个重要因素。它对薄膜性能有重要影响。增加源到基材的距离会影响基材上的入射角。材料通量和基材表面之间的直角优化了薄膜的特性。
根据应用的不同，提供不同的模块化组件。
基材倾斜
基材倾斜
对于不同的应用，需要使用基材倾斜功能。Leybold 莱宝可提供可手动或自动倾斜的基材阶段。
掠射角沉积
掠射角沉积
在沉积过程中倾斜基材，可以在基材上产生有趣的结构/图案 (3D)。此技术被称为掠射角沉积 (GLAD)。
可以旋转、倾斜、加热和冷却基材。例如，此技术可与热源、电子束蒸发器源或溅射源一起使用。
渐变快门
渐变快门
通过我们的渐变快门阶段，可以创建具有不同厚度和材料属性的多个样品。
真空进样室
真空进样室
真空进样室是将基材插入高真空系统的一种非常快速的方法。每个真空进样室都有自己的泵系统，并通过闸阀连接到处理室。
在真空进样室内，可以在处理室中存储和传送一个或多个基材。只需对处理室通风就可以添加材料或进行清洁。在各个真空室之间传送基材，通常使用电机驱动的机械臂或线性传送驱动单元。
该过程完成后，传送臂将基材返回至其在真空进样室中的位置。当新的基材已处于镀膜过程中时，可以将其取出或甚至存储在真空环境下。
真空进样室的优点是缩短了处理时间，同时避免了工艺模块的大气污染。可以将真空进样室添加到任何 UNIVEX 系统中，无论其类型或尺寸如何。
基材处理
为了在沉积过程中改善或更改薄膜属性，可以应用各种基材处理和操作方法。
基材旋转
旋转用于改善整个基材表面的薄膜均匀性。我们为单个或多个基材（包括行星齿轮驱动）提供各种可能的解决方案。
与其他基材操作功能的典型组合包括：
- 加热、冷却
- 射频/直流偏置
- 高度可调性（从源到基材）
- 倾斜
- 掠射角沉积 (GLAD)
- 渐变快门
基材冷却
热敏基材或掩模在沉积过程中需要冷却。我们提供可用水冷却、LN2 冷却或与特殊冷却液体一起使用的基材座。
基材偏置
射频或直流偏置支持的沉积可改善薄膜的粘合特性和化学计量。为此，我们提供了合适的基材座和电源。
高度可调性（从源到基材）
对于不同的应用，源到基材的距离是一个重要因素。它对薄膜性能有重要影响。增加源到基材的距离会影响基材上的入射角。材料通量和基材表面之间的直角优化了薄膜的特性。
根据应用的不同，提供不同的模块化组件。
基材倾斜
对于不同的应用，需要使用基材倾斜功能。Leybold 莱宝可提供可手动或自动倾斜的基材阶段。
掠射角沉积
在沉积过程中倾斜基材，可以在基材上产生有趣的结构/图案 (3D)。此技术被称为掠射角沉积 (GLAD)。
可以旋转、倾斜、加热和冷却基材。例如，此技术可与热源、电子束蒸发器源或溅射源一起使用。
渐变快门
通过我们的渐变快门阶段，可以创建具有不同厚度和材料属性的多个样品。
真空进样室
真空进样室是将基材插入高真空系统的一种非常快速的方法。每个真空进样室都有自己的泵系统，并通过闸阀连接到处理室。
在真空进样室内，可以在处理室中存储和传送一个或多个基材。只需对处理室通风就可以添加材料或进行清洁。在各个真空室之间传送基材，通常使用电机驱动的机械臂或线性传送驱动单元。
该过程完成后，传送臂将基材返回至其在真空进样室中的位置。当新的基材已处于镀膜过程中时，可以将其取出或甚至存储在真空环境下。
真空进样室的优点是缩短了处理时间，同时避免了工艺模块的大气污染。可以将真空进样室添加到任何 UNIVEX 系统中，无论其类型或尺寸如何。
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